以快速升溫方式成長之氧化層

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

093132889

專利證號

I 236073

專利獲證名稱

以快速升溫方式成長之氧化層

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2005/07/11

技術說明

這個發明提出厚度僅為1奈米富含氮之超薄氮氧化矽絕緣層和其製造方法。此超薄氧化層利用快速升溫爐(RTP)系統， 將溫度快速升溫到900度後，以不同的氮氧與氧氣氣流速率，將氣體通入RTP系統中，氮氣流速為5slm而氧氣流速為 1slm，形成高濃度的氮氧與低濃度的氧氣環境，進行15秒的氧化製程，可於矽晶圓上成長出厚度僅為1nm的超薄氮氧化 矽絕緣層。此厚度為1nm之超薄氮氧化矽絕緣層的漏電流可降低至0.1 A/cm2，比傳統的RTO oxide漏電流低約1~2個 orders，並且有較佳的可靠度。如此卓越的改善歸因於，在RTP高氮化氧的環境中進行氮氧化製程，可以有效地將大量 的氮原子和矽形成鏈結，而形成富含氮的氮氧化矽絕緣層，使得氮氧化矽絕緣層可以大幅的降低漏電，並且提高薄膜 可靠度。況且，吾人發明之新穎RTP高氮低氧環境氧化製程，採用快速升溫快速氧化的方式，而且採用業界經常使用的 RTP系統，完全不會增加至成的複雜度，以及量產的困難性。因此，富含氮之超薄氮氧化矽絕緣層非常適合作為下世代 65奈米甚至45奈米CMOS元件閘極氧化層的關鍵製程技術。

備註

本部(收文號1040087827)同意該校104年12月10日交大研產學字第1041013203號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

網址