染料敏化太陽能電池之光電極基材的製造方法METHOD FOR FABRICATION OF PHOTOANODE SUBSTRATE FOR DYE-SENSITIZED SOLAR CELL

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100128894

專利證號

I 443903

專利獲證名稱

染料敏化太陽能電池之光電極基材的製造方法METHOD FOR FABRICATION OF PHOTOANODE SUBSTRATE FOR DYE-SENSITIZED SOLAR CELL

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2014/07/01

技術說明

一種染料敏化太陽能電池之光電極基材的製造方法，包含下列步驟。首先，將鈦金屬片浸泡在過氧化氫溶液進行氧化反應，以形成多孔奈米網狀結構於鈦金屬片的表面上。然後，將形成多孔奈米網狀結構的鈦金屬片進行熱退火處理，以使多孔奈米網狀結構中的二氧化鈦奈米片形成銳鈦礦之結晶結構。如此一來，所得之光電極基材可運用於製作染料敏化太陽能電池。與未經過氧化氫處理的鈦基材相較之下，採用經過氧化氫處理後的鈦光電極組裝成電池，在AM1.5光源下以背向照光模式檢測，短路電流從8.55提升至16.43mA/cm2，光電轉換效率可從4.68提升至7.42%。 A method for fabrication of photoanode substrate for dye-sensitized solar cell is disclosed. The method includes following steps. A Ti foil is immersed into a H2O2 solution for an oxidative reaction. The Ti foil reacts with H2O2 and forms a porus networked TiO2 nanosheet layer on a surface of the Ti foil. And then, to enhance crystallization of the TiO2 nanosheet, annealing is performed for formation of anatase. The resultant Ti photoanode substrate can be utilized to fabricate dye-sensitized solar cell.

備註

本部(收文號1110019123)同意該校111年4月1日興產字第1114300232號函申請終止維護專利(國立中興大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

連絡電話

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