有機發光二極體之封裝結構及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097109544

專利證號

I 369012

專利獲證名稱

有機發光二極體之封裝結構及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

長庚大學

獲證日期

2012/07/21

技術說明

本發明之主要目的，在於提供一種有機發光二極體之封裝結構及其製造方法，其係於真空室溫下，以濺鍍法將ㄧ透明保護層濺鍍至一有機發光體層之陰極之上，以隔絕氧氣與水氣。 本發明之次要目的，在於提供一種有機發光二極體之封裝結構及其製造方法，使用ㄧ樹脂層以設置於該透明保護層之上，藉此以增加其隔絕氧氣與水氣之效果。 為達上述所指稱之各目的與功效，本發明係揭示一種有機發光二極體之封裝結構及其製造方法，其係提供一有機發光體層，係包含ㄧ陽極層、一有機發光層以及一陰極層，於該陰極層之上設置一第一透明保護層，該透明保護層具有阻隔紫外線之效果且於可見光區具有大於95%之透光率，且具有非晶或晶體結構，可阻隔氧氣與水氣；由於該第一透明保護層係於真空、室溫下進行濺鍍，可應用於軟性基板上。 再者，更進一步於該有機發光體層下方之基板之下方設置一第二透明保護層，或於該第一透明保護層之上方或該第二透明保護層之下設置一樹脂層，以作為多層封裝之結構。 An objective of the present invention is to provide an organic light emitting diode that discloses a cathode structure. The above-mentioned inorganic films show lower refraction index than ZnO thin film. In this study, we reported the ZnO used as a passivation layer protected PLEDs against oxygen and moisture permeation. Using a ZnO layer as inorganic passivation layer was not reported before. It is noteworthy that the ZnO has high transmittance in the wavelength 490-540 nm region is up to 95% and the reflective index (n＝2) of ZnO can easily match to conducting oxide such as IZO or ITO to improve internal light coupling out. A PLED device utilizing ZnO/UV-curable resin as encapsulation layer and their electrical characterization, luminance property, and lifetime have been detail studied in this paper.

備註

本部(第1070081078號)同意該校107年11月19日長庚大字1070110206號函申請終止維護。

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