SENSING MARGING EXPANDING SCHEME FOR MEMORYSENSING MARGING EXPANDING SCHEME FOR MEMORY

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

14/226,206

專利證號

US 9,171,590 B2

專利獲證名稱

SENSING MARGING EXPANDING SCHEME FOR MEMORYSENSING MARGING EXPANDING SCHEME FOR MEMORY

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2015/10/27

技術說明

電阻式記憶體具較低的寫入電壓與功耗、更快的寫入週期，同時完全相容於CMOS純邏輯製程，在各操作電壓下皆呈現不錯的特性，因此對我們低功耗的需求極具吸引力。然而，接觸點電阻式記憶體的小阻率及偏高的低阻態阻值也使其感測困難。為解決上述新衍生的問題讓此作更適合低壓操作，我們提出一個具偏移抑制及裕度增強架構的感測放大器來提升低壓環境的操作速度及良率。我們透過自動調零機制實現飄移抑制架構，能有效地將跳閘點歸零以減少感測放大器偏移。裕度增強架構透過耦合電容放大輸入差，減少低壓環境下冗長的位元線電壓發展時間，良率方面，僅需小的輸入差即可達到多個標準差覆蓋。 The object of the instant disclosure is to provide a sensing margin expanding scheme for a memory and a method therefor, in order to improve the sensing margin.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址