利用矽酸鉿奈米微粒備製之非揮發性快閃記憶體

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

093135575

專利證號

I 245375

專利獲證名稱

利用矽酸鉿奈米微粒備製之非揮發性快閃記憶體

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2005/12/11

技術說明

本發明係為一利用矽酸鉿奈米微粒備製之非揮發性快閃記憶體，利用快速升溫退火製程 （Rapidly Temperature Annealing，RTA）成長一具高密度及微粒小之奈米晶體 （nanocrystal）之矽酸鉿（HfSiO4）薄膜層，其製程簡單，可與現今積體電路之製程技術 結合，不須再引入新的儀器或製程步驟，可應用於快閃記憶體（Flash memory）、非揮發性 記憶體（nonvolatile memory）等相關記憶體及半導體產業中。

備註

本部(收文號1070025932)同意該院107年4月17日國研授米企院字第1070500524號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

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