利用蝕刻矽基板表面提高元件發光效率之方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

092103861

專利證號

I 201062

專利獲證名稱

利用蝕刻矽基板表面提高元件發光效率之方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2004/08/26

技術說明

利用化學蝕刻矽基板表面提高發光效率之金氧矽結構 技術

備註

已於102.10.21來函(1020083408)通知於2013.03.20讓與

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

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