適用於高溫操作之氫氣感測器及其製法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

091135484

專利證號

195317

專利獲證名稱

適用於高溫操作之氫氣感測器及其製法

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2004/05/14

技術說明

此結構利用金屬有機化學氣相沈積法(MOCVD)或分子束磊晶法(MBE)成 長在半絕緣 型半導體基板上，此元件之磊晶結構包含5000Å~1mm未摻雜之砷化鎵半 導體緩衝 層，以及n型磷化銦鎵半導體薄膜，其濃度及厚度分別為 1x1016~5x1017cm-3及 1000~5000Å。在磊晶成長之後接著利用真空蒸鍍的技術，於n型磷化銦 鎵薄膜層 表面蒸鍍一層金-鍺-鎳合金做為二極體式氫氣感測器之歐姆式接觸陰 極電極，接 著在n型半導體薄膜層表面上成長一層很薄之氧化層，並在此氧化層上 蒸鍍鈀或 鉑金屬，作為二極體式氫氣感測器之肖特基接觸式陽極電極。..... In this invention, we propose a hydrogen sensor for high operating temperature operations. The structure was grown on a semi- insulated semiconductor substrature by a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) or molecular beam epitaxy (MBE) system. The epitaxial structure consisted of a 0.5~1.0mm-thick undoped buffer layer and an n-type active layer .The concentration and thickness of this active layer are 1x1016~5x1017cm-3 and 1000~5000Å, respectively.....

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

企業關係與技轉中心

連絡電話

06-2360524

網址