利用過氧化氫對氮化物異質接面場效電晶體表面氧化處理之方法及其結構

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100146688

專利證號

I 438897

專利獲證名稱

利用過氧化氫對氮化物異質接面場效電晶體表面氧化處理之方法及其結構

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2014/05/21

技術說明

本技術以過氧化氫溶液於氮化鋁鎵/氮化鎵高電子移動率電晶體表面成長鈍化層結構。藉由特定的過氧化氫浸泡時間，氮化鋁鎵/氮化鎵高電子移動率電晶體的射頻電流塌陷現象獲得改善，此外於射頻的輸出功率、漏電流、輸出電流、崩潰電壓等元件特性皆獲得明顯改善。不同的過氧化氫處理時間可獲得不同厚度的氧化鋁於氮化鋁鎵表面，可藉此調變所需之氧化鋁厚度。本技術在室溫常壓的環境下即可進行，在設備維護、製造成本與產量上都極具相當競爭力。 The hydrogen peroxide solution is utilized as oxidation solution in this technique for growing AlGaN/GaN HEMT surface passivation layer. The RF current collapse, RF output power, leakage current, output current, and breakdown voltage characteristics are improved. By using different H2O2 treatment time, the different Al2O3 thickness can be obtained. The technique is operated under atmospheric pressure and room temperature environments. The technique has advantages of high thoughput and low cost in AlGaN/GaN HEMT fabrication.

備註

本部(收文號1060066830)同意該校106年8月23日成大研總字第1064500744號函申請終止維護專利

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