一種具較高操作頻率之化合物半導體結構及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

094126628

專利證號

I262544

專利獲證名稱

一種具較高操作頻率之化合物半導體結構及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國防大學

獲證日期

2006/09/21

技術說明

一種具較高操作速度之化合物半導體結構及其製造方法，藉由在該化合物半導體結 構的磊晶多層結構中提供以貴重金屬的方式增加深層能階或缺陷能階，藉以增進結 磊晶多層結構中的電子電洞對複合速率，而達增進操作速率之效。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

連絡電話

03-3652242

網址