發明
中華民國
094131980
I 265564
形成電子裝置閘極圖案之方法
國立交通大學
2006/11/01
一種微影方法,使用兩次曝光,搭配曝光位移與蝕刻製程,在一基材表面上形成一結構,其臨界尺寸具有優於原先曝光 設備所能達到之解析極限。
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