蕭特基金屬氧化物半導體元件結構

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

091112162

專利證號

I 186551

專利獲證名稱

蕭特基金屬氧化物半導體元件結構

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2003/09/11

技術說明

本發明揭示一蕭特基金屬氧化物半導體元件結構，其係於一半導體基板上生成一含有金屬之 蕭特基源極及汲極，且具有一副閘極用以感應一電性接面。介於該副閘極與通道間之介電層 係由一介電常數大於四之材質所組成，用以降低該副閘極操作時的工作偏壓。此外，本發明 亦可藉由控制該副閘極和該汲極電壓的極性，使該蕭特基金屬氧化物半導體元件結構產生不 同導電型之通道。

備註

1. 計畫來源：科技部公務預算-奈米元件研究與技術人才培育服務計畫（計畫主持人：施敏） 2. 發明人：林鴻志、黃調元 本部(收文號1050055769)同意該院105年8月2日國研業字第1050102117號函申請終止維護專利24件(國研院)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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連絡電話

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