垂直奈米碳管陣列之轉印技術->垂直奈米碳管陣列之場發射陰極元件的製作方法及其製品Carbon nanotube array element and method for producing the same

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

11/637,811

專利證號

US 7,648,406 B2

專利獲證名稱

垂直奈米碳管陣列之轉印技術->垂直奈米碳管陣列之場發射陰極元件的製作方法及其製品Carbon nanotube array element and method for producing the same

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2010/01/19

技術說明

將成長在矽基板上的奈米碳管陣列轉印到預鍍好銀膠的氧化鋁基板上，由於發射子結構的改 變，使其場發射性質有極大的改善，電流密度可在2.4 V/m 的外加電場下達到325 mA/cm2。

備註

本部(收文號1060012320)同意該校106年2月20日清智財字第1069001047號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址