無電極遮光的發光二極體及其製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

102117024

專利證號

I 523270

專利獲證名稱

無電極遮光的發光二極體及其製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2016/02/21

技術說明

一種無電極遮光的發光二極體的製作方法，主要是將第一電極製作於發光區外，並利用將第一電極事先製作出一形成於第一型第一半導體層裸露之表面的延伸電極，因此，製得的發光二極體無習知電極遮光的問題，且當後續欲利用該發光二極體進行封裝時，即可藉由外露之延伸電極進行打線，而可解決習知覆晶封裝時對位不易的問題。此外，本發明還提供一種無電極遮光的發光二極體。 本發明之目的，即在提供一種無電極遮光的發光二極體的製作方法，此一做法不僅可製作出一種無電極遮光而具有高光取出率的發光二極體，且該發光二極體還可解決傳統覆晶製程對位之限制。 An electrodeless shading method of making light-emitting diode, mainly the production of the first electrode to the outer light-emitting region, and the use of the first electrode extending electrode to produce a pre-formed surface of the first semiconductor layer is exposed to the first type of Therefore, the resulting light-emitting diode no conventional electrode shading problem, and when the follow-up intended to use the light-emitting diode package, can be carried out by extending the electrode exposed wire, and solve the conventional flip-chip bit difficult issues when the package. Furthermore, the present invention also provides a non-electrode shading light-emitting diodes.

備註

本部(收文號1100027139)同意該校110年5月13日興產字第1104300261號函申請終止維護專利(中興)

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