應用於整合化合物半導體元件於矽或鍺基板之變晶層結構

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101113873

專利證號

I 497569

專利獲證名稱

應用於整合化合物半導體元件於矽或鍺基板之變晶層結構

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2015/08/21

技術說明

本發明的目的是利用砷化鎵與不同銻成分之砷銻化鎵形成高品質變晶緩衝層改良已知高載子移動率電晶體整合在矽與鍺基板技術。此技術利用砷化鎵與砷銻化鎵之變晶緩衝層，接續成長銻化鋁鎵緩衝層與砷化銦通道層，可以避免銻化鋁鎵3D的成長模式，降低面缺陷，此外藉由砷銻化鎵可以抑制鍺的擴散，避免影響元件的絕緣特性，此一發明可以改善成長於矽或鍺上的元件特性，並有效降低三五族化合物半導體成長於矽與鍺基板的厚度，達成降低材料成本的效益。 This invention provides a method to grow a Ga(As)Sb metamorphic buffer layer for improving the high carrier mobility transistor integrated on Si or Ge substrate. This method can prevent the twins formation and buffer leakage introduced by 3D growth and Ge out-diffusion. This method can also reduce the required thickness of buffer layer and the mass production cost.

備註

本部(收文號1080048903)同意該校108年7月19日中大研產字第1081400892號函所報終止維護專利。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

03-4227151轉27076

網址