石墨烯電晶體

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101146094

專利證號

I 467767

專利獲證名稱

石墨烯電晶體

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2015/01/01

技術說明

一種石墨烯電晶體，包括：一源極、一汲極、一石墨烯層、一絕緣層、一閘極以及至少一摻雜層。該石墨烯層設置於該源極與該汲極之間。該閘極透過該絕緣層與該石墨烯層、該源極及該汲極絕緣設置。該至少一摻雜層設置在該石墨烯層之上方及下方之至少一者，用於提供摻雜載子給該石墨烯層。該摻雜層包括非化學計量比化合物。本發明之石墨烯電晶體具有較佳之穩定性且不易受週遭環境的影響。若上下都被參雜層覆蓋則此元件將可在空氣下運作且能然能維持高參雜度。 Disclosed is a graphene transistor. The graphene transistor includes a source electrode, a drain electrode, a graphene layer, an insulating layer, a gate electrode, and a doping layer. The graphene layer is disposed between the source electrode and the drain electrode. The gate electrode insulates from the graphene layer, the source electrode, and the drain electrode by the insulating layer. The at least one doping layer is at least disposed on the graphene layer or beneath the graphene layer for providing dopants for the graphene layer. The doping layer includes a nonstoichiometric compound. The graphene transistor of the present invention has better stability and is not affected by the ambient environment easily.

備註

本部(收文號1100057959)同意該校110年9月16日校研發字第1100067275號函申請終止維護專利(台大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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連絡電話

33669945

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