氧化鋅奈米堡聚集體及其製備方法以及染料敏化太陽能電池用之光電極

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103110812

專利證號

I 511350

專利獲證名稱

氧化鋅奈米堡聚集體及其製備方法以及染料敏化太陽能電池用之光電極

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺北科技大學

獲證日期

2015/12/01

技術說明

本技術涵蓋一種奈米堡狀氧化鋅聚集體的製備方法，以及應用該氧化鋅奈米材料製備染料敏化太陽能電池光電極的方法。此氧化鋅奈米材料係由氧化鋅奈米結晶粒(20~60 nm)聚集而成，具有2層外部層以及夾於該外部層之間的內陷中間層之奈米堡結構；其中外部層的厚度為200~300 nm，直徑為400~600 nm，而中間層的厚度為20~50 nm，其內陷程度（亦即外部層的直徑與該中間層的直徑的差值）為40~100 nm。因為此奈米堡狀氧化鋅材料係由奈米結晶粒聚集而成，因此兼具高比表面積與優良的散射功能，而且此材料僅需低溫熱處理(≦150°C) 即可於基材上形成多孔性薄膜，相當適合用於製作高效率的可撓式塑膠軟板染料敏化太陽能電池。 The present technology discloses a burgar-like zinc oxide nanomaterial and the method of fabricating photoelectrodes for dye-sensitized solar cells (DSSCs) using this nanomaterial. The nanoburgar, an assembly of zinc oxide nanocrystallites, has two exterior layers and a central invaginated layer between the two exterior layers. The exterior layer has a thickness of 200-300 nm, a diameter of 400-600 nm, and a round periphery; the difference between the diameters of the exterior layer and the central invaginated layer is 40~100 nm. Because of its strucutral features, the burgar-like nanomaterial not only provides a high specific area for dye adsorption but also generates strong light scattering. Moreover, the nanoburgar material needs only a mild heat treatment (temperature≦150°C) to form a mesoporous film on substrates, making the burgar-like structure a promising nanomaterial for flexible DSSC fabrication.

備註

本部(收文號1090026809)同意該校109年5月8日北科大產學字第1097900107號函申請終止維護專利(北科大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

專利技轉組

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