利用晶體成長過濾基板而進行鎳誘發非晶矽結晶

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

094105787

專利證號

I 267142

專利獲證名稱

利用晶體成長過濾基板而進行鎳誘發非晶矽結晶

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2006/11/21

技術說明

本發明關於利用鎳誘發非晶矽結晶方法而製造出大的多晶矽顆粒，其採取壓印技術以控制多晶矽成長之成核位置，及 利用不同指向的矽晶圓當做Ni的晶種層以控制Ni擴散的數量。

備註

本部(收文號1040087827)同意該校104年12月10日交大研產學字第1041013203號函申請終止維護專利

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