電晶體元件結構Transistor Device Structure

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103119766

專利證號

I 584479

專利獲證名稱

電晶體元件結構Transistor Device Structure

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2017/05/21

技術說明

本發明提供一種電晶體元件結構，包括：基板、第一電晶體層及第二電晶體層。第二電晶體層配置於基板與第一電晶體層之間。其中，第一電晶體層包括絕緣結構與第一電晶體單元。絕緣結構配置於第二電晶體層上方，其具有兩凹槽，兩凹槽間定義出突出部。第一電晶體單元配置於絕緣結構上方，其包括第一閘極結構、第一源/汲極區及通道區。其中，第一源/汲極區定義於該兩凹槽之一中，且具有第一半導體層。通道區定義於突出部與第一閘極結構間，由第二半導體層所組成。 A transistor device structure includes a substrate, a first transistor layer and a second transistor layer. The second transistor layer is disposed between the substrate and the first transistor layer. The first transistor layer includes an insulating structure and a first transistor unit. The insulating structure is disposed on the second transistor layer and has a protruding portion. The first transistor unit includes a gate structure, a source/drain structure, an embedded source/drain structure and a channel. The source/drain structure is disposed beside the gate structure and over the insulating structure. The embedded source/drain structure is disposed underneath the source/drain structure and in the insulating structure. The channel is defined between the protruding portion and the gate structure.

備註

本部(收文號1110009447)同意該校111年2月17日國研授半導體企院字第1111300263號函申請終止維護專利(財團法人國家實驗研究院)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址