三維類石墨烯晶體元件

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

102103911

專利證號

I 501921

專利獲證名稱

三維類石墨烯晶體元件

專利所屬機關 (申請機關)

國立虎尾科技大學

獲證日期

2015/10/01

技術說明

本發明係有關於一種三維類石墨烯晶體元件,尤指一種以壓電材料利用濺鍍(sputter)沉積及氣膠噴鍍技術製成包括有鏈結桿及鏈結圓圍成主圍體之三維結構，而可做為調變式濾波元件與振盪器元件之應用的技術。三維類石墨烯晶體元件其包含有由壓電材料所製成之複數個呈矩形陣列分佈的主圍體。每一主圍體由數個鏈結桿及鏈結圓依序沿著正六邊形環繞而成。陣列中央具一完整正六邊形結構鏤空部，該鏤空部使主陣列中的五個主圍體相通，使陣列的主圍體構成一個三維類石墨烯晶體結構，除具有超大頻溝效應，亦有多個共振模態位於頻溝內，可做為調變式濾波元件與振盪器元件之應用。 The present invention discloses Three Dimension Graphene-like crystal element having wider band gaps, which includes multiple main lattices in rectangular array formed by piezoelectric material. Each lattice is formed by distributing multiple bonding rods and multiple bonding circles in interlace, and a hollow is formed at the center of the array connecting five lattices, so that the arrayed lattices can be three dimension graphene-like crystal structure having large band gap effects without transmission of flexible wave in the gap when acoustic wave transmitted, and can be applied for tunable wave filtering elements and oscillators.

備註

本部(收文號1080024276)同意該校108年4月16日虎科大智財字第1083400058號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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