鑽石成核方法METHOD OF DIAMOND NUCLEATION

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100117084

專利證號

I 415965

專利獲證名稱

鑽石成核方法METHOD OF DIAMOND NUCLEATION

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2013/11/21

技術說明

本發明可不外加偏壓，於未種晶之基板上直接形成核種，進而可由自成核而成之核種成長為鑽石膜。例如，本發明之實施態樣係於矽基板或二氧化矽基板上直接成核生長晶粒，再於核種上成長超奈米晶鑽石(UNCD) ，成長尺寸隨成長時間增大到1000 nm 或更大。此外，本領域中具有通常知識者亦可藉由調整適當之鑽石成長參數，以製備具有較大晶粒尺寸之鑽石膜如另一實施態樣。相較於習知偏壓輔助成核法，本發明可於基板不與電漿接觸之條件下，不外加偏壓而達到鑽石成核之目的。尤其，本發明可於非鑽石基板上直接成核，無需再額外形成碳塗層，具有簡化製程之優點。此外，本發明更可藉由控制混合氣體之流量，避免反應室中過多的含碳氣體形成碳粒，以提高合成鑽石之純度與品質。 The present invention relates to a method of diamond nucleation, including: providing a gas mixture, which includes a noble gas and a carbon-containing gas, in a reaction chamber; and forming a plasma in the reaction chamber to react the carbon-containing gas into a plurality of nuclei on an unseeded substrate without externally applied bias voltage. The plasma does not contact with the substrate. Accordingly, the present invention can achieve direct nucleation on a non-diamond substrate for subsequent diamond growth.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

企業關係與技轉中心

連絡電話

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