含有晶種層之鐵電元件結構及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

091109707

專利證號

I 182605

專利獲證名稱

含有晶種層之鐵電元件結構及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2003/07/21

技術說明

一種鐵電元件之結構，此結構是由一電晶體、一絕緣層、一附著層與一鐵電薄膜電容所組 成。其中，電晶體位於基底上。絕緣層位於基底之表面，且絕緣層中具有一插塞，而附著層 則位於絕緣層上。而鐵電薄膜電容則位於附著層上。此鐵電薄膜電容是由一下電極層、一晶 種層、一鐵電薄膜層、與一上電極層所組成，且此晶種層位於下電極層之表面。鐵電薄膜電 容並藉由一插塞與基底上之電晶體電性連接。由於晶種層的引用能夠改善鐵電薄膜的結晶特 性與微結構，提高鐵電材料之極化值。因此，可以得到具有良好特性之鐵電記憶體。

備註

1. 計畫來源：科技部公務預算-奈米元件研究與技術人才培育服務計畫（計畫主持人：施敏） 2. 發明人：呂正傑、簡昭欣、楊明瑞、林宏道、胡塵滌、黃調元 本部(收文號1050055769)同意該院105年8月2日國研業字第1050102117號函申請終止維護專利24件(國研院)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

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