具共振帶間穿隧二極體之金屬氧化半導體裝置及其製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095128885

專利證號

I 308390

專利獲證名稱

具共振帶間穿隧二極體之金屬氧化半導體裝置及其製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2009/04/01

技術說明

本專利揭示依另一項專利(整合RITD的高速切換MOS元件原理和製作，發明人：林吉聰，林蔚 青，侯昭宇)所揭示的一將RITD及層狀矽化物電阻整合至MOS的高速及抗干擾元件為基礎元件， 但以一MOS接成的非線性電阻替代矽層電阻而得到更佳特性:

備註

依據103年4月30日該校來函申請終止維護並經本部同意(收創文號1030031427)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址