透明導電膜及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

104131718

專利證號

I 571429

專利獲證名稱

透明導電膜及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

義守大學

獲證日期

2017/02/21

技術說明

一種透明導電膜的製造方法，包括在基板的表面上形成氧化鋅種子層，然後乾蝕刻所述氧化鋅種子層，以使其表面形成多數個粗化尖端部，再於粗化尖端部上沉積奈米金屬粒子。之後，在氧化鋅種子層與奈米金屬粒子上形成透明導電層。由於可藉由奈米金屬粒子之間正負電荷吸引而導致的庫倫力來形成類似網狀之聯結，所以能在不影響穿透性的情況下大幅增進透明導電膜的導電性。本發明的透明導電膜包括氧化鋅(ZnO)種子層、數個奈米金屬粒子以及透明導電層。在氧化鋅種子層的表面形成有數個粗化尖端部，而奈米金屬粒子就位在粗化尖端部上。上述透明導電層則覆蓋在氧化鋅種子層與奈米金屬粒子上。基於上述，本發明在形成透明導電膜期間，藉由適當之製程設計來引導奈米金屬粒子以近奈米尺度距離堆積，再藉由奈米金屬原子週邊存在之正負電荷所自然形成之庫倫吸引力，來形成接近類似網狀之聯結，除了不影響其穿透率外，更因奈米金屬粒子類網狀結構之形成，大大提升透明導電膜之導電特性。 A method of manufacturing a transparent conductive film includes forming a ZnO seed layer on a surface of a substrate and then dry etching the ZnO seed layer so as to form a plurality of roughed tips in a surface thereof. Afterwards, a plurality of metal nanoparticles is formed on the roughed tips, and then a transparent conductive layer is formed on the ZnO seed layer and the metal nanoparticles. Since a connection similar to mesh may be generated by a Coulomb force resulting from the attraction because of positive and negative charges of the metal nanoparticles, the conductivity of the transparent conductive film may be substantially improved without affecting the transmittance.

備註

本部(發文號1090009284)同意貴校109年2月12日義大產字第1090001416號函申請終止維護專利。

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