具超淺接面層光伏電池製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

104122347

專利證號

I 555222

專利獲證名稱

具超淺接面層光伏電池製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2016/10/21

技術說明

本發明係有關於一種具超淺接面層光伏電池製造方法，包括以下步驟：提供一n(或p)型低摻雜矽基基板；於該矽基基板上以電子迴旋共振高密度電漿(ECR-CVD)形成一厚度為10-80nm之p(或n)型高摻雜磊晶薄膜；其後選擇性地於該矽基基板之相反於該p(或n)型高摻雜磊晶薄膜之另一面形成一n(或p)型高摻雜薄膜；以及於該p(或n)型高摻雜磊晶薄膜及該n(或p)型高摻雜薄膜形成導電層。本發明製造方法，能有效降低製造的溫度，改善製造所需要的時間。 A method for manufacturing a n (or p) type Si solar cell with an ultra-shallow homo-junction is disclosed. The disclosed method includes following steps: providing a Si-based substrate; forming a p (or n) type epitaxy layer with a thickness ranging from 10-80 nm by way of Electron cyclotron plasma-enhanced chemical vapor deposition; optionally forming a n (or p) type thin Si film on the surface opposite to the side of the p (or n) type epitaxy layer and forming conductive layers on the p(or n) type epitaxy layer and n type thin Si film, respectively. The disclosed method can lower the temperature for manufacturing Si solar cell and improve the time for manufacturing Si solar cell.

備註

本部(收文號1090071728)同意該校109年11月30日中大研產字第1091401301號函申請終止維護專利(中央)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

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