薄膜體聲波共振器之製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

096150406

專利證號

I 360902

專利獲證名稱

薄膜體聲波共振器之製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2012/03/21

技術說明

薄膜體聲波諧振器(Thin Film Bulk Acoustic Resonator, TFBAR)因可與半導體製程相容，預估將成為未來高頻濾波器與震盪器之主流。一種薄膜體聲波共振器之製造方法，其係至少包含提供一具有一第一表面及一第二表面之矽基板，該第一表面係形成有一保護層；形成一第一電極層於該保護層上；蝕刻該矽基板之該第二表面以形成一共振腔；形成一壓電層於該保護層上，並且該壓電層係覆蓋該第一電極層；利用一雷射光照射該壓電層並對該壓電層進行改質處理，其係使該壓電層內之組成晶粒成長；形成一第二電極層於該壓電層上。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址