發光材料及其製法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099110735

專利證號

I 406926

專利獲證名稱

發光材料及其製法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2013/09/01

技術說明

在奈米生物的發展中,量子點的設計合成及官能化是一種相當熱門的研究題材，主要由於量子點其量子侷限效應(quantum confinement effect)特別顯著，而使其展現出不同的光學特性，可較一般傳統有機染料呈現出更多的優越性，如較寬的吸收波長較窄的放射波長、較長的 lifetime及較高量子效率等等,可以應用在太陽能電池、LED、生物影像和雷射等等。 就目前而言在本專利中，主要利用既有的水相具硫基的量子點結合水相聚合物(PVA)經由照光來形成高綠色放光材料CdSe@PVA 螢光膠體，相較無聚合物時可增強其16倍之螢光強度，此方法相當簡易可大量製造,也相當符合綠色科技的訴求。 此膠体溶液亦可利用乙醇/丙酮混合溶劑將其製造為具中空的球體，並將其致於紫外光的InGaN/GaN發光二極體晶片可發出高亮度綠光，並以積分球量測其具有35流明。此高亮度螢光材料合成方便成本低廉，是一項低成本的產品可應用LED及薄膜太陽能電池等等。 Functionalized nano-architectures are particularly important since they increase the native photoluminescence (PL) efficiency in condensed networks. Using the design of functionalizable porous films, here we reported the pearl-necklace like CdSe quantum clusters (20 – 50 nm) self-assembled by high quantum yield (47 %) of individual CdSe QDs (2.8  0.5 nm) in pore-like poly(vinylalcohol)(PVA) films. The hybrid structures are represented as CdSe@PVA. Its corresponding PL intensity was exceptionally increased by 16-fold as compared to the free CdSe QDs at the same concentration level. The attractive emissive CdSe@PVA monoliths are isolated as a visible, big, porous, hollow sphere that exhibits a spectrally pure green color (535 nm) when an InGaN/GaN chip is used as the excitation source at 405 nm. Our results pave the way for large scale fabrication of nano-antenna quantum clusters that are photo-stabilized in solid form

備註

本部(收文號1070026132)同意該校107年4月18日興產字第1074300247號函申請終止維護專利

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