光電晶體

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099124447

專利證號

I 460873

專利獲證名稱

光電晶體

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2014/11/11

技術說明

寬能隙半導體，以金屬氧化物為例，屬於2-6族半導體，具直接能隙及透明性，是很好的光電材料，可應用在顯示器驅動、發光或光感測元件上。然而因為其具有寬能隙(通常 大於3eV以上)， 所以對可見光、紅外光等範圍之電磁波的反應是較遲鈍的，如果期待以它作為此範圍的光感測元件，勢必要做些結構上的修正。 為將寬能隙半導體電晶體應用於可見光、紅外光或長波長電磁波的感測上，在本發明中提出以加入窄能隙光感測層的方式來提高寬能隙電晶體在可見光、紅外光或長波長電磁波的感測能力。 Wide-bandgap semiconductor, metal oxide semiconductor for example, belongs to 2-6 group semi-conductors. This material possesses direct band gap and transparent characteristics. It is a well material for photo and electric application. It is possibly applied on driving device in display, light emitting device and photo-detector. Nevertheless, the large band gap more than 3eV make it insensitive to visible or long-wavelength light. The device structure must to be modified to achieve a phototransistor with long wavelength light detectablility. In order to widen the sensable range of wide-bandgap transistor to detect long-wavelength light ranging from visible light to infrared light, a long-wavelength light absorbable layer with narrow energy band-gap is proposed in this patent to form a new photo detector.

備註

本部(收文號1100065219)同意該校110年10月27日陽明交大研產學字第1100036963號函申請終止維護專利(陽明交大)

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