矽基介電絕緣材料之全程電化學無電鍍沈積製程

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

092134260

專利證號

I254752

專利獲證名稱

矽基介電絕緣材料之全程電化學無電鍍沈積製程

專利所屬機關 (申請機關)

逢甲大學

獲證日期

2006/05/11

技術說明

本發明案係開發異於傳統無電鍍鈀晶種製程（敏化/活化）的新穎晶種生長方法，以便在親 水性與疏水性兩型矽基介電絕緣材料進行無電鍍（Electroless-plated）薄膜之沉積。對 矽 基介電材料（二氧化矽、矽酸鹽玻璃）表面改質以後，依序利用化學溶液進行全程電化學 沉 積處理：（1）鹼型溶液浸漬（以產生Si–O–負電位表面）、（2）金屬鹽液浸漬（以吸附 金屬離子微粒）、（3）還原性溶液浸漬或還原性氫氣氛高溫處理（以將金屬離子還原為中 性金屬微粒）、（4）無電鍍薄膜沉積。由於此製程所吸附之無電鍍催化金屬微粒不會產生 團聚現象，其尺寸僅為2–4 nm，故可以用來生長厚度僅有20 nm或大至數百、數千nm之無 電 鍍薄膜。對疏水性矽基介電材料（矽氧烷聚合物）而言，此製程必須稍作用調整：（1）利 用適當的N2/H2或O2、N2、H2電漿處理以除去表面疏水基，方能產生潤濕行為以利金屬離子 之吸附/還原。（2）利用高氧化性鹼性溶液方可產生OH終止（Si–O–H）之表面，並依序 脫 氫而轉變為Si–O–負電位表面，因而可吸附金屬離子奈米微粒。透過選擇性的電漿表面處 理與（或）高氧化性鹼型溶液浸漬，可利用此一全程電化學製程完成自我對位（Self– Aligned）之無電鍍金屬薄膜圖案之製作。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

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