具懸浮式奈米通道之電晶體結構與其製造方法SUSPENDED NANOCHANNEL TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/314,796

專利證號

US 7,977,755 B2

專利獲證名稱

具懸浮式奈米通道之電晶體結構與其製造方法SUSPENDED NANOCHANNEL TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2011/07/12

技術說明

本發明描述一種具有懸浮奈米線通道之新式金氧半元件的結構與製作方法，可以簡易步驟和低成本之設備完成懸浮奈米線通道。在操作上，藉由閘極的靜電力可以使其吸附或分離奈米線通道，因此展現兩種明顯的邏輯狀態。因其為微機電結合電晶體之結構，而使其閘極電容為可變電容，在元件關閉狀態，因空氣介電層之存在，可使元件關閉電流極低，進而使功率消耗降低，並可於低電壓操作環境下運作，以改善元件可靠度問題。 A method for fabrication of a novel MOS device is disclosed. The device features suspended nanowire (NW) channels and a double-gate configuration which are formed with non-critical manufacturing equipment. During operation, the mobile NW channels may touch or keep a distance away from the side-gate due to the attractive electrostatic force exerted by the gate. Owing to the formation of nano-scale air gap, low-voltage operation is feasible for such devices.

備註

本部(收文號1080035227)同意該校108年6月4日交大研產學字第1081004865號函申請終止維護專利。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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連絡電話

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