一種氨化感測薄膜之表面處理方法SURFACE TREATMENT METHOD BY USING THE NH3 PLASMA TREATMENT TO MODIFY THE SENSING THIN-FILM

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

13/466,291

專利證號

US 8,741,679 B2

專利獲證名稱

一種氨化感測薄膜之表面處理方法SURFACE TREATMENT METHOD BY USING THE NH3 PLASMA TREATMENT TO MODIFY THE SENSING THIN-FILM

專利所屬機關 (申請機關)

長庚大學

獲證日期

2014/06/03

技術說明

本發明揭露一種氨化感測薄膜之表面處理方法，係使用電漿製程以固定酵素之表面修飾流程，在感測薄膜表面施予氨氣電漿處理，使得感測薄膜表面具有氨基，再使用架橋劑將生物或化學物質鍵結固定於感測薄膜表面，形成具生物與化學應用之感測薄膜。此氨化感測薄膜之表面處理方法與目前現有的CMOS半導體製程相容，屬於一種乾式製程可大量的批次生產，其保存性以及對生物感測器再現性及穩定性都優於現有的化學液相修飾方法，未來有助於在臨床檢驗上。 he NH3 plasma treatment by remote plasma is firstly proposed to replace the covalent bonding process during surface modification procedure that for amine bond generation.

備註

本部(收文號1100069253)同意該校110年11月16日長庚大字第1100110241號函申請終止維護專利(長庚)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術移轉中心

連絡電話

03-2118800轉3201

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