半導體奈米線製作方法與半導體奈米結構

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101103447

專利證號

I 480224

專利獲證名稱

半導體奈米線製作方法與半導體奈米結構

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2015/04/11

技術說明

本發明揭露一種半導體奈米線製作方法，其係包含下列步驟：將金屬基材置於反應器中；令惰性氣體充滿於反應器內；加熱反應器至反應溫度，且維持此反應溫度，並將反應器內之壓力提升到第一預定壓力，接著通入反應前驅物於反應器中；持續通入反應前驅物以將反應器內之壓力提升至第二預定壓力；維持此第二預定壓力一段預定時間，以於金屬基材上形成半導體奈米線。藉由上述步驟，本發明之半導體奈米線製作方法可於金屬基材上直接成長半導體奈米線，進而簡化半導體奈米線之製程。 A method for fabricating semiconductor nanowire includes the following steps: providing a metal substrate in a reactor; filling the reactor with an inert gas; heating and maintaining the reactor in a reaction temperature, raising the pressure in the reactor to a first predetermined pressure, and then passing a reacting precursor into the reactor; keeping passing the reacting precursor to raising the pressure of the reactor to a second predetermined pressure; and, maintaining the second predetermined pressure for a predetermined duration, so as to form semiconductor nanowires on the metal bulk. Accordingly, the method of the invention is capable of forming semiconductor nanowires on bulk metal, so that the processes for fabricating semiconductor nanowires can be simplified.

備註

本部(收文號：1080064215)同意該校108年9月26日清智財字第1089006309號函申請終止維護。

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