感測放大器SENSE AMPLIFIER

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

14/740,288

專利證號

US 9,406,355 B1

專利獲證名稱

感測放大器SENSE AMPLIFIER

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2016/08/02

技術說明

感測放大器由於成本效益比靜態隨機存取記憶體高以及隨機存取速度比快閃記憶體更為快速的優點，動態隨機存取記憶體被廣泛應用於多數的電子產品當中。然而對於系統單晶片而言，持續上升的功率消耗是一個存在的大問題。因此低功率消耗的研究議題應該要被考慮到晶片設計當中。對於內嵌式動態隨機存取記憶體而言，利用傳統制訂的自我刷新週期是為了要確保已經寫入的資料能夠被完整地保存於記憶胞陣列當中。但是如果要在低壓操作，記憶胞的資料保存時間將會比高壓環境下的保存時間要能減少許多。因此在低壓的情況下，利用傳統的自我刷新週期將要更快速的刷新而產生額外的資料保存功率消耗。為了能夠操作在更低壓的環境下，我們提出了低壓感測及回寫機制的放大器有效地去延長記憶胞的資料保存時間。藉由操作在回寫機制，將資料提升至更高的電位，以至於在感測階段裕度增強，達成在低壓操作可以成功讀取資料，並且降低在自我刷新週期所消耗的功率。 The present disclosure provides a sense amplifier. The sense amplifier includes a first inverting circuit, a second inverting circuit, a capacitor, and a write-back path circuit. The first inverting circuit has a first input end and a first output end, and the first input end receives a first bit line signal from a memory cell. The second inverting circuit has a second input end and a second output end, wherein the second input is coupled to the first output end, and the second output end is coupled to the first input end, and the second input end receives a second bit line signal from the memory cell. The capacitor receives a boost signal and generates a boosted voltage according to the boost signal during a write-back timing period. The write-back path circuit is coupled to the capacitor and transports the boosted voltage to one of the first and second input ends during the write-back timing period.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

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