多靶反應性濺鍍製程穩定控制方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

102146045

專利證號

I 485277

專利獲證名稱

多靶反應性濺鍍製程穩定控制方法

專利所屬機關 (申請機關)

明新學校財團法人明新科技大學

獲證日期

2015/05/21

技術說明

一種雙靶或多靶反應性濺鍍製程穩定控制方法，其係於一具有至少一製程參數感測器、至少二設置於同一真空腔體之且分別裝設有不同材料靶材的濺鍍槍，且每一濺鍍槍分別配置有一反應氣體流量控制器、一比例–積分–微分控制器，之反應性濺鍍設備執行下列步驟：找出各靶材之遲滯曲線及該些遲滯曲線之過渡區；決定各製程參數感測器設定點、該些反應氣體流量控制器控制範圍及該些PID控制器之控制參數；以及使用該些PID控制器控制製程穩定。藉由本發明之實施，可使濺鍍設備能夠穩定地使用兩種或多種不同材質之靶材同時對一基材進行反應性濺鍍，以獲得由此兩種或多種材料分別與反應氣體反應所得之化合物混和而成之品質高而穩定的薄膜產品。 A dual- or multi- sputtering cathode stabilized process control method for reactive-sputtering deposition. It consisted of one less sputtering process sensor, two or more sputtering cathodes with separated and different targets. And each sputtering cathode configure a mass flow controller and proportional-integral-derivative (PID) controller. The reactive sputtering process by step following as below. First, each sputtering target need to determine the hysteresis loop and its transition region in hysteresis loop. Secondly, the set-point of each sensor was determined by the reactive gas flow rate and its PID parameters. Thirdly, to use the PID controller stabilized the dual- or multi- sputtering cathodes in reactive sputtering process. This technology can be make the sputtering system to stabilize by simultaneously used two or more sputtering targets with different materials in reactive-sputtering process to deposit a high quality and stable composite film to a substrate.

備註

本部(收文號1070026088)同意該校107年4月18日明新(產)字第1070003997號函申請終止維護專利

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