金氧半場效電晶體感測器結構

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100146939

專利證號

I 454695

專利獲證名稱

金氧半場效電晶體感測器結構

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2014/10/01

技術說明

本發明為一種金氧半場效電晶體感測器結構，其包括：金氧半場效電晶體；感測層；以及參考電極。參考電極與感測層皆形成於金氧半場效電晶體之第一表面上且參考電極與感測層呈相互均勻耦合作用之排列。藉由本發明之實施，可使感測層與參考電極之間的電場分布均勻，進而使得金氧半場效電晶體感測器的工作訊號穩定。 The present invention discloses a structure for the metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) sensor. The structure includes: a MOSFET; a sensing membrane; and a reference electrode. The reference electrode and the sensing membrane are formed on the first surface of the MOSFET and are uniformly and electrically coupled to each other. By the implementation of the present invention, the distribution of the electric field between the sensing membrane and the reference electrode can be uniform so as to make the working signal of the MOSFET sensor stable.

備註

本部(收文號1110009447)同意該校111年2月17日國研授半導體企院字第1111300263號函申請終止維護專利(財團法人國家實驗研究院)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

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