熱輻射發射器及其製法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101117190

專利證號

I 430327

專利獲證名稱

熱輻射發射器及其製法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2014/03/11

技術說明

本發明揭露一種熱輻射發射器及其製法，主要係在一導線外周表面由內而外依序沈積包覆該導線之第一金屬層、介電質層及第二金屬層而形成該熱輻射發射器，其中，第一或第二金屬層可具有次波長結構。當該導線連接電流源時，由該導線所產生之熱輻射直接穿過或藉由表面電漿共振耦合穿隧至介電質層，並在第一金屬層與第二金屬層所組成之共振腔中共振，藉此達到調變熱輻射頻譜，如窄頻或多波長共振等特性，及提高或壓抑特定波段熱輻射的輸出功率之功效。 A thermal emitter and a fabricating method are disclosed. The method comprises: depositing a first metal layer、a dielectric later and a second metal layer in sequence form out peripheral surface of a wire toward outside and warping the wire such as to make up the thermal emitter, wherein the first or second metal layer may have subwavelength structure. When the wire connects to a circuit source, thermal radiation created by the wire penetrates directly the dielectric layer or tunnels the dielectric layer due to the surface plasma resonance effect as well as resonates in a cavity composed by the first metal layer and the second metal layer. Therefore, the thermal radiation spectrum can be modulated and the thermal Radiation in specific wavelength can be enhanced.

備註

本部(收文號1090060317)同意該校109年9月28日校研發字第1090083785號函申請終止維護專利(國立臺灣大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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