記憶體元件、記憶體陣列及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

111131760

專利證號

I 803417

專利獲證名稱

記憶體元件、記憶體陣列及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2023/05/21

技術說明

本發明提出一種改善電阻式隨機存取記憶體性能之元件結構及製造方法，並將其形成記憶體陣列之結構及其製造方法。在電阻式隨機存取記憶體的元件結構上，使用非晶型氧化物/結晶型氧化物堆疊結構作為電阻切換層，其中結晶型氧化物之形成方式採用原位(In-situ)退火。結晶型氧化物具有較少的缺陷，可用於改善電阻式隨機存取記憶體之記憶窗口、耐久性及記憶時間等性能。此外，在原位退火製程之中，薄膜可在原生成環境進行退火，可簡化其製造流程。最後，提出使用上述非晶型氧化物/結晶型氧化物堆疊式電阻式隨機存取記憶體形成記憶體陣列的結構及形成方法。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址