轉印石墨烯層之方法METHOD FOR TRANSFERRING GRAPHENE LAYER

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

13/779,043

專利證號

US 8,926,852 B2

專利獲證名稱

轉印石墨烯層之方法METHOD FOR TRANSFERRING GRAPHENE LAYER

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2015/01/06

技術說明

本發明揭露一種轉印石墨烯層之方法，其係藉由靜電荷將成長於金屬催化層上之石墨烯層靜電吸附至基板上，接續浸泡於蝕刻液中以去除金屬催化層，從而完成石墨烯層的轉印。本發明除了可以提供一種簡易的石墨烯層的轉印方法，更改善有機物遺留的問題，從而增進了轉印後石墨烯層的電性品質。 技術主要包括下列步驟：提供一基板；提供一石墨烯層，該石墨烯層係形成於一金屬載體層上；提供一靜電產生器，對該基板施加一靜電場通過靜電處理使得該基板的表面具有靜電荷；藉由靜電荷將形成於該金屬載體層上之該石墨烯層以靜電原理吸附至該基板上；以及 將吸附有形成於該金屬載體層上之該石墨烯層的該基板浸泡至一蝕刻液中，用以去除該金屬載體層，而該石墨烯層保留於該基板上。 The present invention discloses a method for transferring a graphene layer. The graphene layer formed on a metal carrier layer is electrostatically adsorbed on a substrate by electrostatic charges, and then the substrate having the graphene layer formed on the metal carrier layer is immersed in an etching solution to remove the metal carrier layer, thereby completing the transfer of the graphene layer. In addition to being able to provide a simple method for transferring the graphene layer, the present invention further solves a problem of retaining organic residues, thus enhancing electrical properties of the transferred graphene layer.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

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