發明
中華民國
094139508
I 291725
切割已釋出互補金氧半微機電系統的多計畫晶圓的方法
財團法人國家實驗研究院
2007/12/21
切割已釋出互補金氧半微機電系統的多計畫晶圓的方法切割已釋出互補金氧半微機電系統的多計畫晶圓的方法切割已釋出互補金氧半微機電系統的多計畫晶圓的方法切割已釋出互補金氧半微機電系統的多計畫晶圓的方法切割已釋出互補金氧半微機電系統的多計畫晶圓的方法切割已釋出互補金氧半微機電系統的多計畫晶圓的方法切割已釋出互補金氧半微機電系統的多計畫晶圓的方法切割已釋出互補金氧半微機電系統的多計畫晶圓的方法Methods for dicing a released CMOS-MEMS multi-project waferMethods for dicing a released CMOS-MEMS multi-project waferMethods for dicing a released CMOS-MEMS multi-project waferMethods for dicing a released CMOS-MEMS multi-project wafer Methods for dicing a released CMOS-MEMS multi-project waferMethods for dicing a released CMOS-MEMS multi-project waferMethods for dicing a released CMOS-MEMS multi-project waferMethods for dicing a released CMOS-MEMS multi-project waferMethods for dicing a released CMOS-MEMS multi-project waferMethods for dicing a released CMOS-MEMS multi-project waferMethods for dicing a released CMOS-MEMS multi-project waferMethods for dicing a released CMOS-MEMS multi-project waferMethods for dicing a released CMOS-MEMS multi-project wafer
發明人為:曾聖翔、蕭富元、莊英宗、邱進峰 本部(收文號1050055769)同意該院105年8月2日國研業字第1050102117號函申請終止維護專利24件(國研院)
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