以動態干涉儀即時監測薄膜成長方法METHOD FOR MONITORING THIN-FILM FORMATION USING DYNAMIC INTERFEROMETER

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

日本

專利申請案號

特願 2010-271804

專利證號

特許 5461376

專利獲證名稱

以動態干涉儀即時監測薄膜成長方法METHOD FOR MONITORING THIN-FILM FORMATION USING DYNAMIC INTERFEROMETER

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2014/01/24

技術說明

此監控方法利用動態干涉術瞬時解出沉積中的薄膜的反射相位，並同時量測薄膜的反射率或穿透率的變化，計算出於監控光正向入射薄膜下，薄膜的反射係數、等效導納以及折射率和厚度隨時間的變化。 此監控法直接以反射係數軌跡或等效導納軌跡的圖形做具錯誤補償效益的即時監控。對於停鍍點在導納軌跡與實數軸左端的交點附近的膜層，可在反射係數之相位加上一π相位移，再計算對應之導納軌跡，以增加此層監控之靈敏度。 本系統直接取得來自薄膜的正向反射的相位，目前尚無其他技術可做到此點。同時可即時以解出薄膜瞬間的折射率和厚度變化之解析解，這也是其他監控法無法做到的。並可利用所得的反射相位作技術性變更，使等效導納軌跡監控靈敏度在膜堆之導納值接近實數軸時較高，改善極值監控法低靈敏度的缺點，卻保有其對錯誤具良好補償的優點。 In this invention, the dynamic interferometry is employed to measure the real time phase of the reflection coefficient of growing thin films at normal incidence. The reflectance of the growing thin films is also measured simultaneously. Hence, the real time reflection coefficient of the thin films can thereby be obtained. Also, the optical admittance of the growing thin film can be monitored. The monitoring sensitivity sometimes can be increased by adding a phase shift of pi on the reflection phase.

備註

本部(收文號1060048584)同意該校106年7月13日中大研字第1061430172號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

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