多層材料之自我組裝堆疊製程方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101129937

專利證號

I 476817

專利獲證名稱

多層材料之自我組裝堆疊製程方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2015/03/11

技術說明

本發明係關於一種多層材料之自我組裝堆疊製程方法，其係透過自我對準(self-alignment)的方式將多種同質/異質的材料堆疊於一基板之上，該材料可以是單晶、多晶或者是不具晶相的材料，不需要使用任何磊晶緩衝層或漸變緩衝層，除了可降低元件結構之製程材料成本之外，亦可解決習知技術之晶圓接合技術所存在的晶圓對準(alignment)的問題；並且，本發明之方法採用快速熔融成長(RMG)之方式，使得多層材料以液相磊晶的方式自基板表面快速地磊晶側向成長，因此能夠有效地降低半導體異質結構之製程熱預算(thermal budget)。 The present invention relates to a self alignment and assembly fabrication method for stacking multi material layers, wherein a variety of homogeneous/ heterogeneous materials can be stacked on a substrate through this self alignment and assembly fabrication method, without using any epitaxial buffer layers or gradient buffer layers; Moreover, these stacked materials can be single crystal, polycrystalline or non-crystalline phase materials. So that, not only the material cost can be effectively reduced, but the wafer alignment problem existing in the conventional wafer bonding process can also be solved. In addition, in the present invention, rapid melting growth (RMG) is used for growing the multi-materials laterally and rapidly from the substrate surface by liquid phase epitaxy, therefore the thermal budget can be largely reduced when fabricating the multi-layer structure.

備註

本部(收文號1090057669)同意該校109年9月15日清智財字第1099006426號函申請終止維護專利(清華大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

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