電阻式隨存記憶體之製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099100900

專利證號

I 492371

專利獲證名稱

電阻式隨存記憶體之製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2015/07/11

技術說明

於Si基板上以熱成長的方式成長SiO2薄膜層，接著鍍製Ti薄膜層與下電極Pt金屬層，然後再鍍製ZrO2電阻轉態層之後，最後鍍製以Ti作為上電極金屬層，藉以完成金屬-氧化物-金屬(metal-insulator-metal)之電容結構。此專利主要在於利用Ti為上電極，搭配較低溫製程之ZrO2電阻轉態薄膜，以Pt作為下電極的元件材料與結構，能產生很好的特性。 1.較低溫之ZrO2薄膜製程溫度(deposition temperature)：200oC 2.較低溫之元件轉態初始化電壓(forming voltage)：4~5V 3.Endurance特性：可以於dc voltage sweeping mode下連續操作達10000次轉態循環。 4.Dynamic voltage pulse特性：可以50-ns voltage pulse的高速連續轉態達到1000次轉態循環。 Fabrication process： The SiO2 layer was grown on the Si substrate by thermal oxidation, and the following Ti and Pt layers were deposited on the SiO2 layer. Subsequently, the ZrO2 film was deposited on the Pt/Ti/SiO2/Si substrates at 200 °C by a radio-frequency (rf) magnetron sputtering. To achieve the M-I-M structure, the Ti top electrode was deposited by electron beam evaporation. The characteristics of endurance test by sweeping dc voltage bias： The Ti/ZrO2/Pt device can be switched at least 10000 cycles by sweeping dc voltage bias, and both the ON-state and OFF-state can maintain their memory states during continuous dc voltage switching cycles. The characteristics of dynamic voltage pulse switching： Switch-on voltage pulse: +6V, 50 ns Switch-off voltage pulse: -3V, 50 ns Write/Erase pulse cycle is over 1000 times

備註

本部(收文號1080035227)同意該校108年6月4日交大研產學字第1081004865號函申請終止維護專利。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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連絡電話

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