上接觸式有機薄膜電晶體兼具保護層的製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103130618

專利證號

I 536627

專利獲證名稱

上接觸式有機薄膜電晶體兼具保護層的製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣科技大學

獲證日期

2016/06/01

技術說明

有機薄膜電晶體是未來應用於大面積、低成本主動矩陣式有機電激發光顯示器的主動元件候選者之一。為了讓顯示器有高對比、低串音干擾、低漏電功率消耗之特性，主動元件電晶體處於關閉狀態時的關閉電流需維持在數個pA至10 pA以下；而要達到這樣低的關閉電流，主動層的圖案化是無法避免的。以目前有機薄膜電晶體研究常用的高性能有機主動層材料：Pentacene為例，若其因實驗研究上的方便或製程上的考量，而不進行圖案化的製程，則在元件上有許多寄生的漏電路徑，造成其關閉電流可上升至1~10 nA的範圍，將會降低元件的開關電流比與整體顯示器之性能。本計畫將發展一新式有機主動層圖案化技術，此技術除了可相容黃光製程而有製作小尺寸元件之能力，更有製作電特性較優之頂接觸式結構與相容保護層之能力，以達到高效能、高可靠度之先進需求。 Organic thin-film transistors (OTFTs) have been attracting much attention due to their potential application for low-cost and flexible electronics. OTFT is also the most important component of the pixel compensation circuit and the peripheral driving circuit in the high resolution active-matrix organic light-emitting displays (AMOLEDs). To achieve high contrast, low cross-talk interference and low power consumption for displays, the off-current of OTFT must be reduced below several pA; the patterning schemes of active layer for removing leakage paths are inevitable. This project will develop a novel patterning scheme of organic active layer, and this proposed patterning scheme has the compatibilities of traditional photolithography, top-contact structure which has high electrical performance, and fabrication of passivation of OTFT, to achieve the high performance and high reliability for OTFT.

備註

本部(收文號1100013916)同意該校110年3月8日臺科大研字第1100101883號函申請終止維護專利(台科大)

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