奈米鑽石薄膜電極及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095117460

專利證號

I 329143

專利獲證名稱

奈米鑽石薄膜電極及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2010/08/21

技術說明

本發明是一種奈米鑽石薄膜電極及其製造方法，主要是利用微波電漿化學氣相沉積方式，在 具 有呈碎形之表面的基材上，以介於奈米尺度之第二級碎形結構為長晶點，無成核地直接成長 厚 度為奈米尺度而均勻覆蓋基材形成具有粗糙表面結構的奈米鑽石薄膜，並在長晶過程中同步 摻 雜硼以製得奈米鑽石薄膜電極，以此製得之奈米鑽石薄膜電極因奈米鑽石薄膜的厚度縮減至 奈 米尺度，而本發明可進一步微小化奈米鑽石薄膜電極，同時與習知的鑽石電極相較具有更佳 的 電化學特性，與習知之電極相較其效果及優點可至數千倍以上的電化學量測靈敏度。

備註

本部(收文號1050019735)同意該校105年3月21日中產營字第1051400266號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

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