具高密度雙晶的奈米銅導線製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101112942

專利證號

I 454422

專利獲證名稱

具高密度雙晶的奈米銅導線製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2014/10/01

技術說明

一種具高密度雙晶的奈米銅導線製造方法，先提供一模板，該模板具有一表面、一底面及複數個貫穿該表面與該底面的通孔，該通孔具有一小於55nm的孔徑，接著，令該模板置於一含銅電鍍液，並且在一低於室溫之低溫以一脈衝電流進行一電沉積製程，使該通孔內形成一具有雙晶結構的奈米銅導線，由於使用該脈衝電流，可使銅離子產生堆疊錯誤的機會增加，搭配於該低溫下進行，可有助於進一步增加雙晶晶種之成核位置，因此，該奈米銅導線將具有較高的雙晶密度，得有效提升該奈米銅導線抑制電致遷移之能力。 A method for manufacturing a copper nano-wire with high density of twins comprises the following steps: providing a template which has a top surface, a bottom surface and a plurality of holes with a diameter less than 55 nm running through the top surface and the bottom surface; and immersing the template in an electroplating solution including copper to proceed a electrodeposition process by using a pulse current at a low temperature lower than room temperature such that a copper nano-wire with twin structure can be formed in the hole. The chances of copper ions forming the stacking fault is increased by employing the pulse current and the nucleation sites for twins is also increased due to the low temperature. Thus, the copper nano-wire will have higher density of twins so as to improve the ability to suppress the electromigration.

備註

本部(收文號1100028529)同意該校110年5月20日清智財字第1109003178號函申請終止維護專利(清大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址