以新的金屬氧化物半導體場效電晶體傳輸線等效電路模型決定其寄生電感

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

091135509

專利證號

203637

專利獲證名稱

以新的金屬氧化物半導體場效電晶體傳輸線等效電路模型決定其寄生電感

專利所屬機關 (申請機關)

逢甲大學

獲證日期

2004/06/11

技術說明

一種以新的金屬氧化物半導體場效電晶體傳輸線等效電路模型決定其寄生電感之方法,其中該 金屬氧化物半導體場效電晶體包括一源極,一汲極,一閘極與一基座,藉由一特定數學解西處理 程序以得到該金屬氧化物半導體場效電晶體之閘極寄生電感加源極寄生電感,汲極寄生電感加 源極寄生電感,源極寄生電感與虛部Z參數的線性關係式,進而萃取出該金屬氧化物半導體場效 電晶體之閘極寄生電感,汲極寄生電感與源極寄生電感效應數值。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

連絡電話

(04)24517250-6811

網址