控制接點微結構的方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

092135508

專利證號

I 229911

專利獲證名稱

控制接點微結構的方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2005/03/21

技術說明

一種控制接點微結構的方法，此方法係先於二主體上形成一錫層及一金層，且錫：金的重量 百分比為20%：80%（±3～4%）。接著以一第一溫度或一第二溫度對錫層及金層進行加熱，使 錫層及金層反應形成不同特性之接點微結構，以連接此二主體。其中，當以第一溫度對錫層 及金層進行加熱，此接點微結構為一層狀結構。當以第二溫度對錫層及金屬進行加熱，此接 點微結構為一共晶結構。因此，藉由調控連接溫度以對金、錫進行加熱，以產生不同特性的 接點微結構，以符合各種電子裝置的實際要求。 A method for controlling the bond microstructures is provided. The method includes the following steps. Forming a Sn layer and an Au layer the two main bodies that are to be jointed. The weight percent of Sn/Au is 20%：80%（±3～ 4%）. Heating the Sn layer and the Au layer by a first bonding temperature or a second bonding temperature so that the Sn layer and the Au layer react to form different bond microstructures to connect with two main bodies. When heating the Sn layer and the Au layer by a first temperature, the bond microstructure is a layered structure. When heating the Sn layer and the Au layer by a second temperature, the bond microstructure is a eutectic structure. Hence, the bond microstructures can be produced according to the needs of the intended applications of the electronics apparatus by controlling the bonding temperature.

備註

本部(收文號1050047992)同意該校105年7月7日中大研字第1051430192號函申請終止維護專利97件(中央)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

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