利用電漿電解氧化製備氧化物膜的方法METHOD FOR FORMING OXIDE FILM BY PLASMA ELECTROLYTIC OXIDATION

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

13/227,277

專利證號

US 8,808,522 B2

專利獲證名稱

利用電漿電解氧化製備氧化物膜的方法METHOD FOR FORMING OXIDE FILM BY PLASMA ELECTROLYTIC OXIDATION

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2014/08/19

技術說明

目前技術： 1、 目前電漿電解氧化法製備氧化膜，大多以塊材為主，少部分利用金屬薄膜為底材，尚無文獻使用導電氮化物為底材製備氧化膜。 2、 目前以氮化物為底材製備氧化膜的方式大多為水熱法、水熱化學電池法和電化學，但尚未有文獻利用電漿電解氧化於氮化物底材上製備氧化膜。 本發明是利用電漿電解氧化法於導電氮化物上製備氧化膜，此製程形成氧化膜的優點為： 1、利用電漿電解氧化法於導電氮化物製備氧化膜相較於其他製程，如水熱法、水熱化學電池法和電化學法等來的快，生長的膜厚度較厚，且可生成結晶性較佳的氧化膜。 2、於氮化物上製備氧化膜相較於一般金屬膜或金屬塊材反應更為快速。 1.This invention is to prepare oxide films on conductive nitride layers by plasma electrolytic oxidation. Compared to hydrothermal, hydrothermal- galvanic couple, and electrochemical methods, this technique can produce oxide films with much higher growth rate and crystallinity. 2.Using conductive nitride seeding layers , compared to bulk metal or metallic seeding layers, can yield oxide films with higher growth rate.

備註

本部(收文號1100027139)同意該校110年5月13日興產字第1104300261號函申請終止維護專利(中興)

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