控制奈米碳管管束密度的方法與奈米碳管的製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

093135198

專利證號

I 299032

專利獲證名稱

控制奈米碳管管束密度的方法與奈米碳管的製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2008/07/21

技術說明

一種控制奈米碳管管束密度的方法，適於利用一化學氣相沉積法在一氧化物模板的奈米級孔洞內成長奈米碳管，其特 徵在於氧化物模板係經由兩階段陽極氧化處理，以形成具有陣列排列的奈米級孔洞；以及利用控制化學氣相沉積法的 反應氣氛之種類與比例，來控制奈米碳管之管束密度。因此，本發明能有效提昇奈米碳管之應用性。

備註

本部(收文號1060016225)同意該校106年3月7日交大研產學字第1061002219號函申請終止維護專利

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