具有電晶體的半導體元件及其製法

專利類型

新型

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100106145

專利證號

I 435392

專利獲證名稱

具有電晶體的半導體元件及其製法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2014/04/21

技術說明

一種具有電晶體的半導體元件，係包括：承載板；金屬氧化物半導體層，係設於該承載板上；介電層，係設於該金屬氧化物半導體層上，該介電層係構成微奈米級線寬的圖案，俾外露部分該金屬氧化物半導體層，該金屬氧化物半導體層之外露表面的載子濃度大於該金屬氧化物半導體層內部的載子濃度；圖案化遮罩層，係設於該介電層之頂面上；以及源極金屬層與汲極金屬層，係設於外露之該金屬氧化物半導體層上。本發明係於閘極區進行微奈米等級的圖形摻雜，因此大幅增進了有效載子遷移率，並提升電晶體的操作特性。本發明復提供一種具有電晶體的半導體元件之製法。 Disclosed is a semiconductor component having a transistor, comprising a carrier board; a metallic oxidant semiconductor layer formed on the carrier board; a dielectric layer disposed on the metallic oxidant semiconductor layer and constituting micro-nano scale line width patterns for exposing parts of the metallic oxidant semiconductor layer therefrom, wherein the concentration of carriers on the exposed metallic oxidant semiconductor layer is greater than the concentration of carriers inside of the metallic oxidant semiconductor layer; a patterned mask layer formed on top of the dielectric layer; and a source electrode metallic layer and a drain electrode metallic layer disposed on the exposed metallic oxidant semiconductor layer. By doping micro-nano scale patterns on the gate electrode area, the migration of carriers is significantly increased as well as the performance characteristic of the transistor.

備註

本部(收文號1100065219)同意該校110年10月27日陽明交大研產學字第1100036963號函申請終止維護專利(陽明交大)

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