於矽基板上形成三族氮化物半導體磊晶層的方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

096130085

專利證號

I 379021

專利獲證名稱

於矽基板上形成三族氮化物半導體磊晶層的方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2012/12/11

技術說明

1.以10%氫氟酸溶液去除矽基板氧化物，以超高真空熱處理近一步去除氟離子及氧化物，產生平坦及重構之矽表面。 2.低溫沉積鋁原子層於矽基板上。 3.在適當五三比的條件下，利用低射頻功率、低溫梯度變化單一步驟形成單晶氮化矽絕緣層及氮化鋁成核層。 4.在富含鎵的條件下，以每小時0.5μm高溫成長氮化鎵緩衝層。 1.以10%氫氟酸溶液去除矽基板氧化物，以超高真空熱處理近一步去除氟離子及氧化物，產生平坦及重構之矽表面。 2.低溫沉積鋁原子層於矽基板上。 3.在適當五三比的條件下，利用低射頻功率、低溫梯度變化單一步驟形成單晶氮化矽絕緣層及氮化鋁成核層。 4.在富含鎵的條件下，以每小時0.5μm高溫成長氮化鎵緩衝層。 High quality GaN on Si (111) substrate is grown by using AlN/SixNy/Si structure. The growth procedure of AlN/SixNy/Si structure as follows. First, 1 monolayer of Al is deposited on Si substrate for forming AlN nucleation layer. After that, very low growth rate of AlN nucleation layer is performed in the lower growth temperature with suitable III-V stoichiometric. In the meantime, SixNy barrier layer is also accomplished during AlN nucleation layer growth process. Then, 2D growth of AlN layer in higher growth temperature is performed. Thereafter, the high temperature GaN epilayer or group-III semiconductor can be grown on the AlN/SixNy/Si structure with high growth rate.

備註

本部(收文號1080035227)同意該校108年6月4日交大研產學字第1081004865號函申請終止維護專利。

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